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感應加熱電源經歷了20世紀20年代的發(fā)電機組與真空管發(fā)生器，60年代初的晶閘管（SCR）發(fā)生器，80年代初的晶體管發(fā)生器，直到90年代中期的現(xiàn)代功率晶體管（IGBT、MOSFET等）發(fā)生器這樣一個發(fā)展過程。
小型感應加熱電源的頻率范圍很廣，大致對頻率低于10kHz以下的電源稱中頻感應加熱電源，頻率在10~100kHz之間的稱為超音頻感應加熱電源，頻率高于100kHz的稱高頻感應加熱電源。按照功率器件SCR，MOSFET和IGBT的頻率特性及功率容量來看，SCR主要應用于中頻感應加熱，就目前IGBT感應加熱電源的制造水平來看，國際上達到了1200kW/180kHz，國內為10000 kW/50kHz，MOSFET感應加熱電源的制造水平國際為2000kW/400kHz，國內為10~250kW/50~400kHz，1800kW / 150kHz。
